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      漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      190

      最大(dà)漏(lòu)极电流Id(on)(A):

      20

      通道极性:

      N沟道

      封装/温度(℃):

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述:

      550V,190mΩ,20A,N沟道(dào)基于(yú)超级结技术的功率MOSFET



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